2-6英寸二氧化硅（SiO2）拋光硅片參數規格

生長方式：  直拉  CZ   

氧化方式：熱氧化制備

      型號：  N型/磷、砷、銻    P型/硼  （摻雜元素）    

    晶向：  111/100

    電阻：  0.001-25Ω·cm（電阻范圍可選、也可按照客戶需要訂制）

    厚度：  250-600（厚度范圍可選、也可按照客戶需要訂制）

氧化層厚度：50nm-1000nm（氧化層厚度范圍可選、也可按照客戶需要訂制）

平整度TIR：<3μm

彎曲度Bow:  <15μm

翹曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

庫存現有厚度：需訂制

盒裝硅片 : 25片裝(鍍鋁箔真空包裝)

上述概括了此產品參數，對產品有其它厚度或者參數要求請與本公司詳談！
注：硅片尺寸不同氧化層厚度不同價格也會不同，具體請聯系我們。