項目 標準
生長方式 CZ
導電類型 P
摻雜劑 硼
晶向 〈100〉±1.0°
邊長 156±0.5mm
直徑 200±0.5mm
厚度 200±20μm
形狀 準方形
電阻率 1-3Ω.cm
少子壽命 ≥10μs
氧含量 ≤1×1018atoms/cm3
碳含量 ≤5×1016atoms/cm3
翹曲度 ≤75μm
總厚度差異 ≤40μm
位錯密度 ≤1000個/cm3
線痕 深度≤10μm
崩邊 寬度≤0.4mm,延伸≤0.8mm,每片總數量≤2個,間隔≥30mm
表面質量 表面清潔;無裂紋,明顯刀痕,凹坑,缺口,孔洞
156 X156 太陽能單晶硅片