愛爾蘭XSiL公司在“2007年國際半導體設備與材料展覽會（SEMICON West 2007）”（7月16日～20日，美國舊金山）舉行的同時，上市硅晶圓專用的激光切割機。

　　前工序處理的300mm（直徑）硅晶圓的厚度一般為775μm。而后工序處理的晶圓的厚度則不同，為了實現(xiàn)高密度封裝，近來已減薄到了100μm以下。此次XSiL公司將上市激光切割機“X300D+”的特點是：可在設備內部連續(xù)進行此前分別處理的四道工序，實現(xiàn)穩(wěn)定生產，降低成本的目標。

通過對切斷側壁進行干式蝕刻來提高裸片強度

【日經BP社報道】

　　四道工序分別為：（1）用以防止切割顆粒（碎屑）附著的涂裝工序：在晶圓上涂布非離子類水溶性涂劑，以防止切割時產生的碎屑附著在元件上。（2）小損傷切割工序：使用高功率紫外線脈沖激光器（波長355nm）高速切割晶圓和DAF（Die Attach Film），以此來抑制芯片的缺損（崩邊）及損傷。（3）洗凈工序：經過涂裝及切割后的晶圓利用設備下部的洗凈裝置進行純水洗凈，去除在最初工序中涂布的涂層及附著的碎屑。（4）無等離子的干蝕刻工序：使用面向超薄硅晶圓新開發(fā)的XeF2干蝕刻技術“MaxFlex”，對切割成片的裸片的切斷側壁進行蝕刻。通過減少給裸片造成的應力來提高強度。（特約撰稿人：橋本哲）