據了解,與浸漬工藝相比,第二代VITRUM技術可實現同質、可靠、可重現的蝕刻。同時該技術與浸漬池相比還具有其他優勢,如較高的蝕刻長度和濃度、高達每分鐘5米的較快的處理速度和最小的結轉等。
第二代VITRUM技術可在單步操作中同時對薄膜太陽能電池的背面和邊緣進行清潔。除了可對工藝進行自動控制外,新款的單步蝕刻工具可保護活躍層不受工藝煙罩的損害,并通過刷子和化學原料等進行蝕刻。第二代VITRUM技術據稱是目前市場上唯一的一款設備可在單步操作中同時對薄膜太陽能電池的背面和邊緣進行清潔,而不對活躍層造成任何傷害。該技術可用在烘箱工藝之后的清潔流程中,以及對被表面和邊緣的多余CdTe和CdS鍍膜進行蝕刻。第二代VITRUM技術可為多種不同技術提供平臺,在CdTe加工過程中,第二代VITRUM技術可實現六步工藝,包括玻璃清洗、背板CdTe清潔,使用滾軸進行的CdCl2沉積和玻璃清洗的除鹽。當生產非晶硅和多晶硅或者CIS/CIGS電池時,VITRUM技術可分別用于玻璃清洗,以及透明導電氧化物的蝕刻、KCN的蝕刻或NH3的處理等。此外,該技術還可在大小高達2200的NP、DAE和EDTA的基底上進行蝕刻工藝。該技術可應用于薄膜太陽能組件的濕法化學工藝中。
第二代VITRUM技術的新式設計改善了在大型安裝系統中的維護工作。管道設計與所有其他的液體電路相類似。同時,該技術還具有較高的可循環率,并極易與現有生產線相集成。