5 準單晶硅片基本參數

以鳳凰光伏準單晶硅片為例，其基本參數是：
1) 導電類型：P型
2) 尺寸為156×156mm
3) 電阻為0.5—3Ω.cm，
4) 少子壽命≥2μs，
5) 厚度為200μm±20和180μm±20兩種，
6) TTV≤30μm,
7) 彎曲度≤15μm，
8) 大晶粒晶向<100>±5o
質量好的單位準單晶硅錠按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面積的比例大
小可分為A、B、C三個質量等級區域：
A區：占硅錠比例為16%，同一晶向晶粒面積占硅片面積50%以上
B區：占硅錠比例為48%，同一晶向晶粒面積占硅片面積70%以上
C區：占硅錠比例為36%，同一晶向晶粒面積占硅片面積90%以上
6 準單晶電池片效率
準單晶硅錠中A、B、C區制成的電池片獲得了不同的技術參數，具體如下：
A區：轉換效率為16.61%；比普通多晶高0.1%—0.2%
B區：轉換效率為17.02%；比普通多晶高0.4—0.6%
C區：轉換效率為17.32%；比CZ單晶低0.2—0.4%
在準單晶正常投料的情況下，平均衰減為0.4%—0.6%
其中，多晶電池片效率基準為16.5%，單晶電池片效率基準為17.6%。
在鳳凰光伏將試產單晶硅片送至相關的電池生產商，在大生產線投放后得到的數據基本相同，光衰減為0.5%。
7 準單晶電池片生產技術

7.1 鳳凰光伏

鳳凰光伏不僅在準單晶硅片制造方面已經實現量產，而且在與其客戶在利用準單晶硅片生產電池片技術上也進行了探討。鳳凰光伏首席技術官石堅表示，推薦電池生產商A、B區進行酸制絨，C區進行堿制絨。未來，鳳凰光伏將與其客戶進一步探討酸堿混合制絨的技術，這樣每片的平均效率將超過17%，這樣就徹底超越了單晶硅片。

7.2 一種準單晶硅片的制絨方法——發明專利（晶澳）

2011年4月晶澳太陽能針對準單晶硅片的制絨技術公布了一項發明專利。專利中提出：對于準單晶硅片而言，由于長晶控制和切割位置等的影響，在硅片中除了（100）晶面，通常不可避免的出現部分其它晶向的晶粒，即為隨機生長的多晶晶粒，單一的堿制絨或者酸制絨都無法實現良好的織構化效果。因此，對于這類硅片的電池片制作，制絨工藝需結合酸、堿制絨的優勢。具體實施過程中需根據準單晶硅片中（100）晶向晶粒所占的比例，調節酸、堿制絨的程度，以達到最好的綜合制絨效果。以下內容截自此發明專利，以供參考。