新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies（納斯達克：GTAT）今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。

GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對更高品質SiC材料的需求，這些材料將用于生產先進的高功率及高頻設備。 SiClone100為我們的SiC產品藍圖奠定堅實基礎，根據(jù)藍圖我們預計在未來向客戶提供可生產八英寸SiC芯片的完整生產環(huán)境，包括配方、熱場及耗材。”

GT利用其在晶體生長技術領域深入的專業(yè)知識，為正在尋求“從實驗室向工廠轉化”的客戶提供高度可靠及經驗證的平臺，幫助客戶開始量產SiC晶體塊。 SiClone100爐裝備有最先進的控制系統(tǒng)，通過將爐電子與人機界面（HMI）相結合，實現(xiàn)生長過程的自動化。 SiClone100采用底部灌裝設計，從而令熱場灌裝變得簡單。 控制系統(tǒng)為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據(jù)需要制定過程配方及控制生產參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運行的控制重復性，最終降低制造成本。 GT的現(xiàn)場工程師及支援團隊將幫助客戶快速啟動量產。

本公司繼續(xù)預計SiC爐的銷售情況將僅占其2013歷年收入的1%以下，并預計2014年及之后的SiC爐收入情況將會逐步好轉，原因是新電力設備有關的設計周期較長。