三洋半導體于2009年7月17日上市了與該公司原產品相比封裝面積減小80％、耗電量降低55％的雙極晶體管“ECH系列”。封裝面積為2.9mm×2.8mm。在該尺寸的產品中，“耗電量業(yè)界最低”（該公司）。主要面向便攜產品、平板顯示器和太陽能電池等的電流電路。

　　為了降低耗電量，該公司分別改進了封裝和芯片。封裝方面，采用了通過銅引線連接的“夾焊(Clip Bonding)”而非線焊（Wire Bonding），從而將外形電阻減少了80％。芯片方面，采用了三洋半導體自主開發(fā)的技術――基于雙層電極構造的“MBIT-W（Multi-Base Island Transistor -Wireless）”工藝，擴大了芯片的有效工作范圍。

　　此次上市的產品包括NPN型的“ECH8201”和“ECH8202”以及PNP型的“ECH8101”和“ECH8102”。ECH8201的耐壓（集電極與發(fā)射極間的最大電壓）為＋50V，最大集電極電流為10A。ECH8202的耐壓為＋30V，最大集電極電流為12A。容許損耗為1.6W。此外，還備有與MOS FET一體化的“ECH8901”。

　　所有產品均從2009年7月開始樣品供貨。樣品價格最低為50日元。預定從2009年8月開始量產，月產100萬個。（記者：佐伯 真也）