三菱電子通過降低電極間的接觸電阻，將多晶硅片電池轉換效率提高至19.3％。經日本國家產業技術綜合研究所（AIST）證實，此硅片（15厘米×15厘米×200微米）比該公司之前記錄的19.1%高出了0.2%。該公司還宣稱其超薄多晶硅太陽能電池（15厘米×15厘米×100微米）已達到18.1％的效率，在此前17.4%的基礎上又提高了0.7%，并已得到日本國家產業技術綜合研究所核實。

三菱為防止損失電阻，在電極形成前對電池片進行處理以改善電極接觸性能。該公司表示，這樣做與之前的光伏電池相比減少了4％的電阻損耗。

公司在之前19.1％的記錄基礎上又提高了0.2%，使其在實際測量的硅片電力輸出上增加了約1％，從4.16W升至4.2W。

新的結果與之前開發的低反射和蜂窩構造表面處理等技術相結合，其目的是為了降低硅片表面反射 和 因其后表面結構所導致的太陽光能流失。