2017年新春伊始,江蘇微導(dǎo)納米裝備科技有限公司專門為新型高效太陽能電池量身打造的,完全具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ALD原子層沉積薄膜鈍化技術(shù)就傳來了令人振奮的好消息。經(jīng)過4個(gè)月的晝夜奮戰(zhàn),經(jīng)過此技術(shù)鈍化的電池在客戶端獲得了接近22%的最高轉(zhuǎn)化效率和21.7%的平均轉(zhuǎn)化效率,其它各項(xiàng)指標(biāo)也均創(chuàng)造了此類型電池的世界新高!
隸屬于無錫先導(dǎo)集團(tuán)的江蘇微導(dǎo)納米裝備科技有限公司是一家年輕的科技公司,致力于為國(guó)內(nèi)外的高科技行業(yè)提供最新最可靠的生產(chǎn)設(shè)備和解決方案。其中專門為新型高效太陽能電池的表面鈍化所開發(fā)的原子層沉積技術(shù),在不到一年的時(shí)間內(nèi)就完成了從技術(shù)評(píng)估、設(shè)計(jì)定案、機(jī)械和工藝驗(yàn)證,直到完成最終的客戶應(yīng)用評(píng)估等工作,而支撐這一切從無到有的核心便是其背后強(qiáng)大的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。我們從芬蘭、新加坡引進(jìn)博士團(tuán)隊(duì),加上中科大等國(guó)內(nèi)名校畢業(yè)的博士、碩士,其中數(shù)人更是獲得了江蘇省雙創(chuàng)人才項(xiàng)目的技術(shù)專家,是真正具有高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)。
這次開發(fā)的用于太陽能電池表面鈍化的設(shè)備經(jīng)過數(shù)輪的技術(shù)攻關(guān),單批次的硅片裝載量達(dá)到了驚人的1600片,同時(shí)可以保持片內(nèi)、片間的薄膜均勻性在2%以內(nèi),電池電學(xué)性能幾乎一致的優(yōu)異表現(xiàn)。在整機(jī)產(chǎn)能達(dá)到每小時(shí)4000片以上的前提下,可以有效的降低昂貴化學(xué)反應(yīng)源的耗量,深度集成的自動(dòng)化上下料確保了0.05%以下的碎片率,極大的降低了實(shí)際使用成本。其最核心的ALD原子層沉積工藝可以在薄膜厚度低至2納米時(shí)依舊對(duì)電池表面提供良好的鈍化,這是其它技術(shù)從原理上就無法達(dá)到的條件,在核心技術(shù)上達(dá)到了國(guó)際第一梯隊(duì)的領(lǐng)先水平。
原子層沉積(AtomicLayer Deposition,ALD)技術(shù)是在納米技術(shù)領(lǐng)域及其它多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中的一項(xiàng)具有前瞻與共性的新興關(guān)鍵技術(shù)。現(xiàn)有的ALD量產(chǎn)技術(shù)都被國(guó)外的設(shè)備大廠如ASM、AMAT、TEL等壟斷。微導(dǎo)正在開展的ALD設(shè)備產(chǎn)品技術(shù)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,打破國(guó)外壟斷,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。同時(shí),ALD關(guān)鍵技術(shù)的成功攻關(guān),將促進(jìn)多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、CMOS圖像傳感器、LED、MEMS、顯示器、光伏和鋰離子電池的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。據(jù)悉,微導(dǎo)公司的《基于原子層沉積(ALD)技術(shù)的微納器件制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)》項(xiàng)目,還入選了“2016年江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(產(chǎn)業(yè)前瞻與共性關(guān)鍵技術(shù))項(xiàng)目”。
在不斷增加的高效率、低成本晶硅太陽能電池市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下,微導(dǎo)為單、多晶高效太陽能電池技術(shù)提供高性能ALD鈍化和RIE干法制絨生產(chǎn)解決方案。與傳統(tǒng)的鋁背場(chǎng)電池相比,微導(dǎo)光伏技術(shù)適用于多種高效晶硅太陽能電池生產(chǎn)線的新建、改造和升級(jí),可以將太陽能電池轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提升1%以上。
微導(dǎo)RIE黑硅與ALD背鈍化技術(shù)的結(jié)合,為晶硅太陽能電池效率突破、降低成本提供最佳量產(chǎn)方案。
隸屬于無錫先導(dǎo)集團(tuán)的江蘇微導(dǎo)納米裝備科技有限公司是一家年輕的科技公司,致力于為國(guó)內(nèi)外的高科技行業(yè)提供最新最可靠的生產(chǎn)設(shè)備和解決方案。其中專門為新型高效太陽能電池的表面鈍化所開發(fā)的原子層沉積技術(shù),在不到一年的時(shí)間內(nèi)就完成了從技術(shù)評(píng)估、設(shè)計(jì)定案、機(jī)械和工藝驗(yàn)證,直到完成最終的客戶應(yīng)用評(píng)估等工作,而支撐這一切從無到有的核心便是其背后強(qiáng)大的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。我們從芬蘭、新加坡引進(jìn)博士團(tuán)隊(duì),加上中科大等國(guó)內(nèi)名校畢業(yè)的博士、碩士,其中數(shù)人更是獲得了江蘇省雙創(chuàng)人才項(xiàng)目的技術(shù)專家,是真正具有高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)。
這次開發(fā)的用于太陽能電池表面鈍化的設(shè)備經(jīng)過數(shù)輪的技術(shù)攻關(guān),單批次的硅片裝載量達(dá)到了驚人的1600片,同時(shí)可以保持片內(nèi)、片間的薄膜均勻性在2%以內(nèi),電池電學(xué)性能幾乎一致的優(yōu)異表現(xiàn)。在整機(jī)產(chǎn)能達(dá)到每小時(shí)4000片以上的前提下,可以有效的降低昂貴化學(xué)反應(yīng)源的耗量,深度集成的自動(dòng)化上下料確保了0.05%以下的碎片率,極大的降低了實(shí)際使用成本。其最核心的ALD原子層沉積工藝可以在薄膜厚度低至2納米時(shí)依舊對(duì)電池表面提供良好的鈍化,這是其它技術(shù)從原理上就無法達(dá)到的條件,在核心技術(shù)上達(dá)到了國(guó)際第一梯隊(duì)的領(lǐng)先水平。
原子層沉積(AtomicLayer Deposition,ALD)技術(shù)是在納米技術(shù)領(lǐng)域及其它多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中的一項(xiàng)具有前瞻與共性的新興關(guān)鍵技術(shù)。現(xiàn)有的ALD量產(chǎn)技術(shù)都被國(guó)外的設(shè)備大廠如ASM、AMAT、TEL等壟斷。微導(dǎo)正在開展的ALD設(shè)備產(chǎn)品技術(shù)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,打破國(guó)外壟斷,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。同時(shí),ALD關(guān)鍵技術(shù)的成功攻關(guān),將促進(jìn)多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、CMOS圖像傳感器、LED、MEMS、顯示器、光伏和鋰離子電池的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。據(jù)悉,微導(dǎo)公司的《基于原子層沉積(ALD)技術(shù)的微納器件制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)》項(xiàng)目,還入選了“2016年江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(產(chǎn)業(yè)前瞻與共性關(guān)鍵技術(shù))項(xiàng)目”。
在不斷增加的高效率、低成本晶硅太陽能電池市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下,微導(dǎo)為單、多晶高效太陽能電池技術(shù)提供高性能ALD鈍化和RIE干法制絨生產(chǎn)解決方案。與傳統(tǒng)的鋁背場(chǎng)電池相比,微導(dǎo)光伏技術(shù)適用于多種高效晶硅太陽能電池生產(chǎn)線的新建、改造和升級(jí),可以將太陽能電池轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提升1%以上。
微導(dǎo)RIE黑硅與ALD背鈍化技術(shù)的結(jié)合,為晶硅太陽能電池效率突破、降低成本提供最佳量產(chǎn)方案。