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Pcore E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊——革新您的電源體驗!

   2024-12-08 1770
核心提示:隨著可再生能源、電動汽車等領域現(xiàn)代電力應用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。

隨著可再生能源、電動汽車等領域現(xiàn)代電力應用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料具有適合高壓、大功率應用的優(yōu)良特性,在650V、1200V及更高電壓場景中開始發(fā)揮顯著作用,成為光伏逆變器、電動汽車充電的最佳解決方案。

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本期話題,給大家推薦一個超級給力的產品,那就是基本半導體面向工業(yè)應用開發(fā)的PcoreTM2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊。如果你還在為傳統(tǒng)硅基半導體的性能瓶頸煩惱,那你絕對不能錯過這款產品。它不僅采用了先進的碳化硅技術,還結合了高品質晶圓工藝,簡直就是高效與穩(wěn)定的完美結合!

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一、高性能氮化硅陶瓷基板帶來的革命性好處

為改善長期高溫度沖擊循環(huán)引起的CTE失配現(xiàn)象,PcoreTM2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊采用高性能的氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高溫焊料,以滿足應用端對高熱導率、優(yōu)異電絕緣性能以及高強度、高可靠性的要求。

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不同陶瓷覆銅板材料的性能對比

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高熱導率與低熱膨脹系數(shù)

由于氮化硅陶瓷基板的熱導率遠高于傳統(tǒng)的硅材料,這意味著在高功率密度的應用中,它可以更有效地散熱。此外,其低熱膨脹系數(shù)確保了在溫度變化時器件的物理尺寸保持穩(wěn)定,從而減少了因熱循環(huán)引起的機械應力,提高了模塊產品的長期可靠性。

相比之下,氧化鋁(Al?O?)雖然成本較低,但其熱導率僅為20-35 W/m·K,遠低于氮化硅的160-240 W/m·K。氮化鋁(AlN)的熱導率較高,約為170-260 W/m·K,與氮化硅相近,但在高溫下,氮化鋁的性能可能會下降。

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優(yōu)異的電絕緣性能

氮化硅材料的電絕緣強度是硅的10倍,這使得PcoreTM2 E2B模塊能夠在更高的電壓和頻率下工作,同時保持較低的能量損耗。這對于追求高效率和高功率密度的應用來說,是一個顯著的優(yōu)勢。而氧化鋁和氮化鋁雖然也具有良好的電絕緣性能,但它們的電氣性能通常不如氮化硅。

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耐環(huán)境影響

由于氮化硅材料對環(huán)境因素如濕度、溫度和化學物質等具有很高的抵抗力,這保證了PcoreTM2 E2B模塊在惡劣環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能,延長使用壽命。相比之下,氧化鋁和氮化鋁在某些極端環(huán)境下可能會出現(xiàn)性能退化,尤其是在高溫和化學腐蝕環(huán)境中。

二、晶圓內嵌碳化硅肖特基二極管的顯著設計優(yōu)勢

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低開關損耗、抗雙極性退化


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基于碳化硅肖特基二極管的零反向恢復特性,PcoreTM2 E2B模塊所采用的碳化硅MOSFET晶圓在設計時便考慮到了這一點,通過在碳化硅MOSFET元胞中內置碳化硅二極管元胞,使得體二極管基本沒有反向恢復行為,大幅降低了器件的開通損耗。

這種設計有效避免了傳統(tǒng)體二極管的疊層缺陷問題,即當逆電流流過本體二極管時,不會導致主體MOSFET管的有源區(qū)域減小和比導通電阻RDS(on)的變化。這種設計不僅降低了VF值,還防止了碳化硅的雙極性退化。

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低導通壓降

這一晶圓設計也使得PcoreTM2 E2B模塊中的體二極管(SiC SBD)具有極低的導通壓降,僅為1.35V。這比傳統(tǒng)的硅基二極管要低得多,直接導致了更低的正向壓降和更高的效率,尤其在高電流應用中更為明顯。

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高速開關性能

內嵌的碳化硅二極管不僅導通壓降低,而且具有非常快的開關速度。這意味著在高頻應用中,PcoreTM2 E2B模塊可以快速切換減少開關損耗,提高整體能效。

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高溫穩(wěn)定性

內嵌碳化硅二極管的碳化硅MOSFET的使用還賦予了PcoreTM2 E2B模塊出色的高溫穩(wěn)定性。即使在極端的工作溫度下,內嵌的碳化硅二極管也能保持其卓越的電氣特性,確保設備在各種環(huán)境下都能可靠運行。

三、推薦應用領域

憑借這些卓越的技術特點和性能優(yōu)勢,PcoreTM2 E2B碳化硅半橋模塊非常適合應用于以下領域:

電能質量全碳化APF/SVG的應用——體積重量成本明顯下降,整機峰值工作效率提升至99%。

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大功率充電樁應用——充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。此外,碳化硅還能提高單位功率密度,減小模塊體積并簡化電路設計,對降低充電樁成本起到重要作用。

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全碳化硅高速伺服應用——更好的系統(tǒng)響應能力,更精準的控制,提供分立器件及功率模塊。

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通過以上的技術解析和應用領域的介紹,我們可以看到PcoreTM2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊不僅在材料選擇上具有領先優(yōu)勢,其內置的高性能器件也確保了其在高效能電源轉換領域的領先地位。無論是對于設計者還是終端用戶而言,PcoreTM2 E2B模塊都是提升系統(tǒng)性能、可靠性和經濟性的優(yōu)選方案。


 
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