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IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

 
品牌: 西門康
電壓: 1700V
電流: 2400A
重量: 11
單價: 19999.00元/件
起訂: 1 件
供貨總量: 10 件
發貨期限: 自買家付款之日起 30 天內發貨
所在地: 北京 朝陽
有效期至: 長期有效
最后更新: 2024-07-09 11:27
瀏覽次數: 367
 
公司基本資料信息
詳細說明

德國賽米控/西門康IPM智能功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

<span "="" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px;">北京京誠宏泰科技有限公司供應西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

西門康SKiiP4系列IPM智能功率模塊

SKiiP1203GB172-2DFL品牌
賽米控SEMIKRON
SKiiP1203GB172-2DFL產地
德國
SKiiP1203GB172-2DFL技術參數
VCES=1200V; IC=1200A
SKiiP1203GB172-2DFL產品屬性

西門康SKiiP4系列智能igbt模塊

供應西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

風電 光伏新能源 電廠用IGBT模塊

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

品牌
賽米控/西門康SEMIKRON
產地
德國
技術參數
VCES=1700V; IC=2400A
產品屬性

西門康SKiiP4系列智能igbt模塊

西門康IPM功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310是一款大功率2單元半橋結構IPM智能功率模塊內置igbt半橋電路%2BNTC

供應西門康IGBT模塊SKiiP2414GB17E4-4DUK310

1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
1700V-igbt 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A

1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進,此類產品在市場上將越來越多見;
IGBT是能源變換與傳輸的器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為新興產業,在軌道交通、智能電網、電動汽車與新能源裝備等領域應用

SKiiP2403GB172

北京京誠宏泰科技有限公司原裝供應IPM模塊
SKiiP3614GB12E4-6DUW

SKiiP3614GB12E4-6DULR
SKiiP513GD172-3DUL V3
SKiiP513GD172-3DUW V3
SKiiP603GD172-3DUL V3
SKiiP603GD172-3DUW V3
SKiiP1013GB172-2DL V3
SKiiP1013GB172-2DW V3
SKiiP1203GB172-2DL V3
SKiiP1203GB172-2DW V3
SKiiP1513GB172-3DL V3
SKiiP1513GB172-3DW V3
SKiiP1803GB172-3DL V3
SKiiP2013GB172-4DK0376
SKiiP2013GB172-4DK0255

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